FQD4N50TF
N沟道,电流:2.6A,耐压:500V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD4N50TF
- 商品编号
- C3281276
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
该产品是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 2.6A、500V,VGS = 10V时,RDS(on) = 2.7Ω
- 低栅极电荷(典型值10 nC)
- 低Crss(典型值6.0 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关电源-功率因数校正-基于半桥的电子灯镇流器