FQD4N50TF
N沟道,电流:2.6A,耐压:500V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD4N50TF
- 商品编号
- C3281276
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
该产品是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 超低导通电阻：RDS(on) 最大值为17.0 mΩ（VGS = -10 V，ID = -18 A）
- RDS(on) 最大值为23.5 mΩ（VGS = -4.5 V，ID = -18 A）
- 低输入电容：Ciss典型值为2800 pF
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 无铅（该产品外部电极不含铅）
应用领域
- 汽车领域