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TSM7N90CZ C0G

1个N沟道耐压:900V 电流:7A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM7N90CZ C0G
商品编号: C3280399
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品特性

超结技术
高性能，低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷Qg乘积优值（FOM）
高耐用性
100%进行非钳位感性开关（UIS）和栅极电阻Rg测试
高换向性能
符合RoHS标准
符合IEC 61249-2-21的无卤要求

应用领域

电源-交流/直流LED照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	900V
	连续漏极电流(Id)	7A
	导通电阻(RDS(on))	1.9Ω@10V
	耗散功率(Pd)	250W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	49nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.969nF
	反向传输电容(Crss)	11pF
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	133pF