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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@50uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 采用领先的沟槽技术,实现低导通电阻(RDS(on))和高速开关
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿度敏感度等级1,无卤素,“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准)
应用领域
- 开关应用