RM3415
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-4A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM3415
- 商品编号
- C3280099
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
RM3407采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V，漏极电流ID = -4.3 A
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 90 mΩ
- 当栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON) < 52 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关