IRF9952QPBF
双通道N沟道和P沟道MOSFET,电流:3.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF9952QPBF
- 商品编号
- C3279770
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这些采用双SO-8封装的HEXFET®功率MOSFET采用先进的处理技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。这些HEXFET功率MOSFET的其他特性包括150°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些优势相结合,使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。 高效的SO-8封装具有出色的热特性和双MOSFET管芯能力,非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO-8封装可显著节省电路板空间,也提供卷带包装形式。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 双N沟道和P沟道MOSFET
- 表面贴装
- 提供卷带包装形式
- 150°C工作温度
- 无铅
应用领域
- 同步整流器
- DC/DC转换器