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IPZA60R080P7XKSA1

1个N沟道耐压:600V 电流:37A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPZA60R080P7XKSA1
商品编号: C3278954
商品封装: TO-247-4
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关的超结MOSFET优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换向时的卓越耐用性以及出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

由于出色的换向耐用性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
显著降低开关和传导损耗
所有产品的ESD耐用性出色,>2kV(HBM)
低RDS(on)A(低于1Ohmmm2)使产品的RDS(on)/封装比竞品更优
完全符合JEDEC工业应用标准

应用领域

-PFC级-硬开关PWM级-用于PC主机、适配器、LCD与PDP电视、照明、服务器、电信和UPS的谐振开关级

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	37A
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	80mΩ@11.8A,10V

	属性	参数值
	功率(Pd)	129W
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	4V@590uA
	栅极电荷(Qg@Vgs)	51nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	2.18nF@400V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)