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IPAN60R210PFD7SXKSA1

1个N沟道耐压:650V 电流:16A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPAN60R210PFD7SXKSA1
商品编号: C3278880
商品封装: TO-220-FP
包装方式: 管装
商品毛重: 3.02克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS PFD7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

商品特性

由于极低的品质因数 RDS(on) * Qg 和 RDS(on) * Eoss,损耗极低
低开关损耗 E\text oss ,出色的热性能
快速体二极管
广泛的RDS(ON)范围和多种封装形式

应用领域

用于高密度充电器、适配器、照明和电机驱动应用的零电压开关(ZVS)拓扑

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	16A
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	210mΩ@4.9A,10V

	属性	参数值
	功率(Pd)	25W
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	4.5V@240uA
	栅极电荷(Qg@Vgs)	23nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	1.015nF@400V
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)