BSC004NE2LS5ATMA1
1个N沟道 耐压:25V 电流:40A 电流:479A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC004NE2LS5ATMA1
- 商品编号
- C3278625
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 479A；40A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.45mΩ@30A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 188W；2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@10mA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 238nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 11nF@12.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 栅源电压为10 V、漏极电流为19 A时，最大漏源导通电阻 = 3.9 mΩ
- 栅源电压为8 V、漏极电流为15.5 A时，最大漏源导通电阻 = 5.5 mΩ
- 采用先进的封装和硅技术组合，实现低漏源导通电阻和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，实现软恢复
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 或门FET/负载开关
- DC-DC转换
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