FDD6770A
N沟道,电流:24A,耐压:25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6770A
- 商品编号
- C3277925
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.405nF@13V | |
| 反向传输电容(Crss) | 535pF@13V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RM48N100D3采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 48A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 13.6 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 22 mΩ
- 栅极电荷与漏源导通电阻乘积（Qg × RDS(on)）表现出色
- 极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 无铅引脚镀层
- 100%经过单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
应用领域
-DC/DC转换器-适用于高频开关和同步整流-无卤