2SJ317NYTL-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@2.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 63pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端方案，可在不随时间降低性能的前提下增强耐压能力。此外，这款先进的高压MOSFET经设计可承受雪崩和换向模式下的高能量。其节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严苛的桥式电路，并且能为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管特性适用于桥式电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(on)
- 可替代MTD2N50
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。