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IHW20N65R5
650V 40A
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- 描述
- 特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -非常低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数，具有易于并联开关的能力。 低电磁干扰。应用：感应烹饪。 逆变式微波炉
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IHW20N65R5
- 商品编号
- C3191648
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输出电容(Coes) | 23pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 60A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC | |
| 输入电容(Cies) | 2.45nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 250ns | |
| 导通损耗(Eon) | 540uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 160uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 82ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 10pF |
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