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IHW50N65R6XKSA1
650V 100A
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- 描述
- 特性：完整的产品谱系和PSpice模型。 由于V₍CESat₎的正温度系数，具有易于并联开关的能力。 高鲁棒性和稳定的温度特性。 低电磁干扰。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 极低的V₍CESat₎和低E₍off₎。应用：感应烹饪。 微波炉
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IHW50N65R6XKSA1
- 商品编号
- C3191661
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 251W | |
| 输出电容(Coes) | 49pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 150A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 199nC | |
| 输入电容(Cies) | 5nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 261ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 660uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 108ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 18pF |
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