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IKW20N65ET7XKSA1
低损耗双封装IGBT7，采用沟槽和场截止技术
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- 描述
- 封装引脚定义：引脚 C 及背面 集电极
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW20N65ET7XKSA1
- 商品编号
- C3191677
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.35V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.65V@15V,20A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.31nF | |
| 输出电容(Coes) | 42pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 13pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 210ns | |
| 导通损耗(Eon) | 360uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 360uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 集电极-发射极电压V_CE = 650V
- 集电极电流I_C = 20A
- 极低的集电极-发射极饱和电压V_CE,sat
- 低关断损耗
- 短拖尾电流
- 降低的电磁干扰
- 非常柔和、快速恢复的反并联二极管
- 最高结温T_vmax = 175℃
- 根据目标应用通过JEDEC认证
- 无铅引线镀层；符合RoHS标准
- 完整的产品系列和PSpice模型
应用领域
- 伺服驱动器
- 通用驱动器
- 工业不间断电源
- 工业开关电源
- 太阳能优化器