- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IGD06N65T6ARMA1
IGD06N65T6ARMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGD06N65T6ARMA1
- 商品编号
- C3191759
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 9A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 18A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.9V@15V,3A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 283pF | |
| 输出电容(Coes) | 22pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 5pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 35ns | |
| 导通损耗(Eon) | 60uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 30uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 非常低的VCE(sat) 1.5V（典型值）
- 最高结温175°C
- 短路耐受时间3µs
- 沟槽和场截止技术提供非常紧密的参数分布
- 高鲁棒性和温度稳定行为
- 低VCEsat和正温度系数
- 低栅极电荷QG
- 无铅电镀符合RoHS标准