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IGD15N65T6ARMA1
IGD15N65T6ARMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGD15N65T6ARMA1
- 商品编号
- C3191768
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 57.5A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.9V@15V,11.5A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.02nF | |
| 输出电容(Coes) | 50pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 20pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 117ns | |
| 导通损耗(Eon) | 230uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 110uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |