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AIGB30N65F5ATMA1
650V 30A
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- 描述
- 特性：高速F5技术。 在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 最高结温175℃。 经过动态应力测试。应用：非车载充电器。 车载充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIGB30N65F5ATMA1
- 商品编号
- C3191790
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 输出电容(Coes) | 50pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.3mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.8nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 188ns | |
| 导通损耗(Eon) | 330uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 100uJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 11pF |
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