BGA777L7E6327
BGA777L7E6327
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- 描述
- BGA777L7 是一款适用于 UMTS 频段 7、38 和 40 的低功耗单频段低噪声放大器 MMIC。该 LNA 采用无引脚绿色封装,具有动态增益控制、温度稳定、待机模式和 2 kV ESD 保护。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGA777L7E6327
- 商品编号
- C3191822
- 商品封装
- XFDFN-6-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 2.3GHz~2.7GHz | |
| 增益 | 17dB | |
| 噪声系数 | 1.2dB | |
| 工作电压 | 2.6V~3V | |
| 工作电流 | 4.2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | - | |
| 工作温度 | -30℃~+85℃ | |
| 输入回波损耗 | - | |
| 输出回波损耗 | - | |
| IP3 | - | |
| 功能特性 | 静电保护;可变增益控制;低功耗模式 |
商品概述
BGA777L7是一款适用于UMTS 7、38和40频段的低电流单频段低噪声放大器MMIC。该LNA基于专有的高性价比SiGe:C技术,采用薄型TSLP - 7 - 1无引脚环保封装。该器件具有动态增益控制、温度稳定、待机模式和片上2 kV ESD保护以及片外匹配功能。
商品特性
- 高/低增益模式下增益:16 / -7 dB
- 高增益模式下噪声系数:1.2 dB
- 高/低增益模式下电源电流:4.2 / 0.5 mA
- 待机模式(典型值<2 μA)
- 输入预匹配至50 Ω
- 2 kV HBM ESD保护
- 外部元件数量少
- 小型无引脚TSLP - 7 - 1封装(2.0×1.3×0.39 mm)
- 无铅(符合RoHS标准)封装
- BGA628L7E6327
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- BGA9H1BN6E6327XTSA1
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- BGA9H1MN9E6329XTSA1
- BGA9C1MN9E6327XTSA1
- BGA9V1MN9E6327XTSA1
- IR3447AMTRPBFAUMA2
- ICM7218CIQI+
- CY7C4261V-10JXC
- CY7C421-20JXC
- 72201L15JGI8
- 7203L25JI
- IS82C55A
- HSP50016JC-5296
- HSP50016JC-75
- ICM7211AMIQH+D
- ICM7211MIQH+D

