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BGA9H1BN6327XTSA1
BGA9H1BN6327XTSA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGA9H1BN6327XTSA1
- 商品编号
- C3191826
- 商品封装
- TSNP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 2.3GHz~2.7GHz | |
| 增益 | 21.8dB | |
| 噪声系数 | 0.6dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.1V~3.3V | |
| 工作电流 | 5.5mA | |
| 功能特性 | 数字控制接口；可变增益控制；低功耗模式 |
商品概述
BGA9H1BN6是一款适用于4G和5G的低噪声放大器，覆盖2.3 GHz至2.7 GHz的宽频率范围。在第4章所述的应用配置中，该LNA在电流消耗为5.5 mA时可提供高达20.3 dB的增益和0.6 dB的噪声系数。通过多状态功能，可以调整增益以提高系统动态性能，并具备节能选项。双线状态控制与标准GPIO控制的LNA完全向后兼容。BGA9H1BN6支持0.6 μA的超低旁路电流和1.2 V的工作电压，以降低功耗。它可在1.1 V至3.3 V的电源电压下全温度范围工作。尺寸为1.1×0.7 mm²的紧凑型6引脚TSNP - 6封装有助于节省PCB空间。
商品特性
- 插入功率增益：最大20.3 dB
- 旁路模式下的插入损耗：4.3 dB
- 低噪声系数：0.6 dB
- 低电流消耗：最小2.2 mA
- 工作频率：2.3至2.7 GHz
- 多状态控制
- 电源电压：1.1 V至3.3 V
- 超小TSNP - 6 - 10无引脚封装（尺寸：0.7×1.1×0.37 mm³）
- 硅锗BiCMOS技术
- RF输出内部匹配至50欧姆
- 仅需一个外部匹配元件
- 符合RoHS和WEEE标准的封装
应用领域
- 4G和5G应用
- 可穿戴设备
- 智能手机