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IKY75N120CH3XKSA1
1.2kV 150A
- 描述
- 特性：高速H3技术提供: 由于采用开尔文发射极引脚封装并结合高速H3技术，具有超低开关损耗。 在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。 在Tvj = 175℃时，短路耐受时间为10μs。 由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷QG。应用：工业不间断电源。 充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKY75N120CH3XKSA1
- 商品编号
- C3191739
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 938W | |
| 输出电容(Coes) | 505pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.35V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.35V@15V,75A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 370nC | |
| 输入电容(Cies) | 4.856nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 38ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 303ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 292ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 290pF |
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