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IKD06N65ET6ARMA1
TRENCHSTOP IGBT6绝缘栅双极型晶体管，带反并联Rapid二极管
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- 描述
- 特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温175℃。短路耐受时间3μs。适用于650V应用的沟槽和场截止技术，具有:非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定特性。低VCEsat和正温度系数。应用：驱动器：通用驱动器（GPD）。大型家用电器：空调、其他大型家用电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKD06N65ET6ARMA1
- 商品编号
- C3191758
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 9A | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.9V@15V,3A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 35ns | |
| 导通损耗(Eon) | 60uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 30uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 30ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |