- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IGD10N65T6ARMA1
IGD10N65T6ARMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGD10N65T6ARMA1
- 商品编号
- C3191756
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 23A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 42.5A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.9V@15V,8.5A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 790pF | |
| 输出电容(Coes) | 41pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 12pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 106ns | |
| 导通损耗(Eon) | 200uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 70uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 极低的饱和压降VCE(sat)，典型值为1.5V
- 最高结温为175℃
- 短路耐受时间为3µs
- 采用适用于650V应用的沟槽和场截止技术，提供非常紧密的参数分布、高鲁棒性、温度稳定行为、低饱和压降以及正温度系数
- 低栅极电荷QG
- 无铅引线电镀；符合RoHS标准
- 提供完整的产品系列和PLECS模型
应用领域
- 通用驱动器
- 空调
- 其他大型家电
- 其他小型家电