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IKQ50N120CH3XKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IKQ50N120CH3XKSA1

1.2kV 100A

描述
特性:高速H3技术提供:硬开关和谐振拓扑中的高效率。在Tv = 175℃时具有10μs的短路耐受时间。由于VcEsat中的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用:工业UPS。充电器
商品型号
IKQ50N120CH3XKSA1
商品编号
C3191732
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
11.866667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)100A
耗散功率(Pd)652W
集射极饱和电压(VCE(sat))2.35V@50A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))5.1V@1.7mA
栅极电荷量(Qg)235nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)3.269nF@25V
开启延迟时间(Td(on))34ns
关断延迟时间(Td(off))297ns
导通损耗(Eon)3mJ
关断损耗(Eoff)1.9mJ
反向恢复时间(Trr)240ns
工作温度-40℃~+175℃

数据手册PDF