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IKW75N65SS5XKSA1
CoolSiC混合分立器件——TRENCHSTOP 5 S5 IGBT与全额定值第六代CoolSic二极管共同封装
- 描述
- 特性：VCE = 650 V-IC = 75 A。 由于TRENCHSTOP™ 5和CoolSiC™技术的结合，具有超低开关损耗。 极低的导通损耗。 在硬开关拓扑中具有基准效率。 可即插即用替代纯硅器件。 最高结温Tvjmax = 175℃。应用：工业开关电源。 工业不间断电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW75N65SS5XKSA1
- 商品编号
- C3191683
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.75mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 4nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 145ns | |
| 导通损耗(Eon) | 200uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 420uJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |