IKW50N120CS7XKSA1
1.2kV 82A
- 描述
- 特性:VCE = 1200 V。IC = 50 A。IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压:在 Tvj = 175°C 时,VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。应用:工业驱动器。工业电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW50N120CS7XKSA1
- 商品编号
- C3191676
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 428W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 82A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2V@15V,50A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 290nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.2nF | |
| 输出电容(Coes) | 140pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 32pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 29ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.8mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 165ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 集电极-发射极电压为1200 V
- 集电极电流为50 A
- IGBT与全电流、软恢复、低反向恢复电荷二极管共封装
- 在结温为175℃时,饱和电压低至2.0 V
- 针对硬开关拓扑(如两电平逆变器、三电平NPC T型拓扑等)进行优化
- 短路耐受时间为8微秒
- 宽范围的电压变化率可控性
- 提供完整的产品系列和PSpice模型
应用领域
- 工业驱动器
- 工业电源
- 太阳能逆变器


