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IKW50N120CS7XKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IKW50N120CS7XKSA1

1.2kV 82A

描述
特性:VCE = 1200 V。IC = 50 A。IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压:在 Tvj = 175°C 时,VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。应用:工业驱动器。工业电源
商品型号
IKW50N120CS7XKSA1
商品编号
C3191676
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)428W
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)82A
集电极脉冲电流(Icm)150A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))2V
栅极阈值电压(Vge(th))2V@15V,50A
栅极电荷量(Qg)290nC
属性参数值
输入电容(Cies)7.2nF
输出电容(Coes)140pF
反向传输电容(Cres)32pF
开启延迟时间(Td(on))29ns
关断延迟时间(Td(off))170ns
导通损耗(Eon)2.8mJ
关断损耗(Eoff)2.2mJ
反向恢复时间(Trr)165ns
工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

商品特性

  • 集电极-发射极电压为1200 V
  • 集电极电流为50 A
  • IGBT与全电流、软恢复、低反向恢复电荷二极管共封装
  • 在结温为175℃时,饱和电压低至2.0 V
  • 针对硬开关拓扑(如两电平逆变器、三电平NPC T型拓扑等)进行优化
  • 短路耐受时间为8微秒
  • 宽范围的电压变化率可控性
  • 提供完整的产品系列和PSpice模型

应用领域

  • 工业驱动器
  • 工业电源
  • 太阳能逆变器

数据手册PDF