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IKW50N120CS7XKSA1
IKW50N120CS7XKSA1
- 描述
- 特性：VCE = 1200 V。IC = 50 A。IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175°C 时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。应用：工业驱动器。工业电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW50N120CS7XKSA1
- 商品编号
- C3191676
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 82A | |
| 耗散功率(Pd) | 428W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2V@15V,50A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 290nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 29ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.8mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 165ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
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