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IKW08N120CS7XKSA1
1200V TRENCHSTOP IGBT7技术
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- 描述
- 特性：VCE = 1200 V-IC = 8 A-IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。 低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V（Tvj = 175℃ 时）。 针对硬开关拓扑进行优化（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）。 短路耐受时间 8 μs。 宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。 工业电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW08N120CS7XKSA1
- 商品编号
- C3191651
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 21A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@8A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@0.16mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.2nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 160ns | |
| 导通损耗(Eon) | 370uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 400uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 130ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- VCE = 1200 V - IC = 8 A - IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装
- 在Tvj = 175°C时，低饱和电压VCE(sat) = 2.0 V
- 针对硬开关拓扑（两电平逆变器、三电平NPC T型等）进行优化
- 短路耐受时间8 μs
- 宽范围的dv/dt可控性
应用领域
- 工业驱动器
- 工业电源
- 太阳能逆变器
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