IGW50N65H5AXKSA1
IGW50N65H5AXKSA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGW50N65H5AXKSA1
- 商品编号
- C3191659
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.91V;1.66V;2.04V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.8nF | |
| 输出电容(Coes) | 54pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 11pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 173ns | |
| 导通损耗(Eon) | 450uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 160uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 高速H5技术提供:
- 硬开关和谐振拓扑中一流的效率
- 可即插即用替换上一代IGBT
- 650V击穿电压
- 低栅极电荷QG
- 最高结温175°C
- 通过AEC - Q101认证
- 绿色封装(符合RoHS标准)
- 完整的产品系列和PSpice模型
应用领域
- 电池充电器
- DC/DC转换器

