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MPQ50N25实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MPQ50N25

1个N沟道 耐压:250V 电流:50A

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.15Ω
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MPQ50N25
商品编号
C34373715
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)64nC@10V
输入电容(Ciss)3.35nF
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)463pF

商品特性

  • 650V、20A,RDS(ON)(典型值)= 0.40Ω(VGS = 10V 时)
  • 低 Crss
  • 快速开关
  • 100% 雪崩测试

应用领域

  • 适配器-待机电源-开关模式电源

数据手册PDF