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TF150P03K
P沟道,电流:-30A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF150P03K
- 商品编号
- C3040030
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 166pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
JY3407X采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至 -4.5V 的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -4.3A
- 栅源电压（VGS） = -10V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 50mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 100mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理