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TFD150N04M
N沟道,电流:21A,耐压:40V
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TFD150N04M
- 商品编号
- C3040035
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 518pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22.2pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别定制，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 单封装双芯片
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备和电池供电系统