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TF060N04NG
N沟道,电流:60A,耐压:40V
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF060N04NG
- 商品编号
- C3040044
- 商品封装
- PDFNWB-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
TF030P02N将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDSON）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
应用领域
-MB/VGA内核电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器