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TF050P03N
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-80A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF050P03N
- 商品编号
- C3040045
- 商品封装
- PDFNWB-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 83.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.646nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 601.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 617.8pF |
商品概述
TF035N03N将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源(SMPS)二次同步整流器
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器