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TF110P03N
P沟道,电流:-42A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF110P03N
- 商品编号
- C3040038
- 商品封装
- PDFNWB-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36.9nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.716nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 196.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 226.9pF |
商品概述
TF070P03K将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDSON。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 无刷直流电机驱动器