温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TF32324
N+P通道增强型功率MOSFET,电流:16A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF32324
- 商品编号
- C3040039
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.716nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 227pF |
商品概述
TFD150N04M将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- N+P沟道
- 增强型
- 极低导通电阻
- 快速开关
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备和电池供电系统