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TF030P02N
P通道增强模式功率MOSFET,电流:-90A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF030P02N
- 商品编号
- C3040040
- 商品封装
- PDFNWB-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.4769nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 974.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
GT090N06S采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻和低栅极电荷。它可应用于多种领域。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源(SMPS)二次侧同步整流器
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器