温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 30V、120A
- RDS(ON) = 2.9 mΩ（典型值），VGS = 10V
- RDS(ON) = 4.3 mΩ（典型值），VGS = 4.5V
- 先进沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理