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TFD085N03M
N沟道,电流:25A,耐压:30V
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TFD085N03M
- 商品编号
- C3040034
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@24V | |
| 输入电容(Ciss) | 927.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 141.1pF |
商品概述
FH1908D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 80V，漏极电流ID = 80A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 7.9 mΩ（典型值：6.3 mΩ）
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
- 专为转换器和电源控制设计
- 采用高密度单元设计，实现极低的导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 封装散热性良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源