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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TF110P03K

P沟道,电流:40A,耐压:30V

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品牌名称
TF(拓锋)
商品型号
TF110P03K
商品编号
C3040029
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))2.1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30nC@15V
输入电容(Ciss)1.55nF
反向传输电容(Crss)278pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)327pF

商品概述

WMB043N10LGS采用了威昂(Wayon)先进的功率沟槽MOSFET技术,该技术经过特别设计,可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低导通电阻RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻

应用领域

  • MB/VGA内核电压
  • 开关电源二次侧同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF