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AP10P10D

P沟道增强型MOSFET,电流:10A,耐压:100V

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商品型号
AP10P10D
商品编号
C3011469
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.49克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))400mΩ@10V
耗散功率(Pd)4.5W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)4.5nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)550pF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)56pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP10P10D采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = - 100V,ID = - 10A
  • 在VGS = - 10V时,RDS(ON) < 400mΩ

应用领域

  • 汽车报警控制器
  • 销售点系统(POS)
  • 无刷电机

数据手册PDF