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AP30P10D
P沟道增强型MOSFET,电流:-30A,耐压:-100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP30P10D
- 商品编号
- C3011470
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.029nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP10H03S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 10A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 12mΩ
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充
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