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AP9926A
N+N沟道增强型MOSFET,电流:6.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP9926A
- 商品编号
- C3011475
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 358pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.5pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP9926A采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V,漏极电流ID = 6.5A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ(典型值:20 mΩ)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 无线充电
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