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AP50P10D
P沟道增强型MOSFET,电流:-50A,耐压:-100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP50P10D
- 商品编号
- C3011472
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.516nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 223pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP50P10D采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景,具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = - 100V, ID = - 50A
- RDS(ON)< 50 mΩ @ VGS=-10 V (典型值:42mΩ)
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
-功率开关-DC/DC转换器