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AP8814A
20V N沟道增强模式MOSFET,电流:8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP8814A
- 商品编号
- C3011477
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
AP8205S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V,漏极电流ID = 8A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 17mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 22mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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