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AP10N10D

N沟道,电流:10A,耐压:100V

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商品型号
AP10N10D
商品编号
C3011361
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.49克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@10V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)9.7nC
属性参数值
输入电容(Ciss)508pF
反向传输电容(Crss)16.4pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)29pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP10N10D采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 100 V,ID = 10 A
  • 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 280 mΩ(典型值:240 mΩ)

应用领域

  • 汽车照明
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF