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APG60N10NF

100V N沟道MOSFET,电流:60A,耐压:100V

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商品型号
APG60N10NF
商品编号
C3011376
商品封装
TDSON-8-EP(6x5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)49.9nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)2.604nF
反向传输电容(Crss)6.5pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)361.2pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

APG60N10NF采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性,适用于

商品特性

  • 低导通电阻RDS(on)和品质因数FOM
  • 极低的开关损耗
  • 逆变器具有出色的稳定性和一致性

应用领域

  • 消费电子电源
  • 电机控制
  • 同步整流
  • 隔离式直流
  • 同步整流应用

数据手册PDF