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APG60N10D
100V N沟道MOSFET,电流:60A,耐压:100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APG60N10D
- 商品编号
- C3011375
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.604nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP280N10MP采用先进的APM-SGT技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至10V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM
- 极低的开关损耗
- 逆变器具有出色的稳定性和一致性
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用