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AP20N10D
100V, 20A, 100V N沟道 Enhancement Mode MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20N10D
- 商品编号
- C3011368
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP30N10D采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 20A
- RDS(ON)典型值:65mΩ @ VGS=10V
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充