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AP10N10S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP10N10S

100V,电流:12.3A,耐压:100V

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商品型号
AP10N10S
商品编号
C3011362
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12.3A
导通电阻(RDS(on))93mΩ@10V,5A
耗散功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)645pF@25V
反向传输电容(Crss)33pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

AP80N08D采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 100 V
  • ID = 12.3 A
  • RDS(ON) < 110 mΩ @ VGS = 10 V(典型值:93 mΩ)

应用领域

-汽车照明-负载开关-PSE

数据手册PDF