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APG12N10D
100V N沟道增强型MOSFET,电流:12A,耐压:100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APG12N10D
- 商品编号
- C3011363
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 17W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@50V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 206.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
APG12N10D采用先进的SGT MOSFET技术,可提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数(FOM)
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性,适用于逆变器
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流电源-同步整流应用