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APG40N10D
100V,电流:40A,耐压:100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APG40N10D
- 商品编号
- C3011370
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.0039nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP18N03D采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = 100V,I D = 40A
- R D S (O N) < 20mΩ(V G S = 10V时)
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流