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AP180N08P

1个N沟道 耐压:85V 电流:180A

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商品型号
AP180N08P
商品编号
C3011351
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)284W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)91nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)6.813nF
反向传输电容(Crss)48pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)808pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP180N08P/T采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至10V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 85 V,ID = 180 A
  • RDS(ON) < 3.5 mΩ,VGS = 10 V(典型值:2.9 mΩ)

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF